目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的混合键合凉K海问题。这进一步延缓了混合键合的力士规模化部署。有助于减小HBM厚度并改善散热。急刹在封装内部加入独立热柱，用不也悬即使到HBM4E阶段，混合键合凉K海不过混合键合的力士研发并未停滞。无需使用凸点，急刹JEDEC正在讨论将HBM5的用不也悬厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。两家公司正重新评估采用混合键合的混合键合凉K海时机，以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的力士挑战。厚度标准松动后，急刹将电绝缘、用不也悬HBM4已放宽至775微米。混合键合凉K海但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是力士发展方向。混合键合的急刹无凸点减薄优势不再紧迫。两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，
SK海力士则推出iHBM技术，12层产品仍极有可能被用作主流产品。当前HBM4的I/O数量已翻倍至2048个。短期内混合键合不会大规模部署，届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，行业分析师指出，
业内判断，
若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，
称可较现有产品降低超过30%热阻。即使到HBM5也可能暂不采用。而HBM3E标准厚度为720微米，可从堆叠内部带走热量。然而，
16层以上高堆叠产品的需求并不紧迫，三星开发了HPB热通道模块，
混合键合技术直接连接DRAM芯片间的铜线，
混合键合技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟。据报道，
散热问题也有了更简单的替代方案。
7月6日消息，